onsemi MJE13009G

Name: onsemi MJE13009G
Brand: onsemi
SKU: MJE13009G

12 A, 400 V NPN Bipolar Power Transistor

Obsolete

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IHS

Datasheet10 페이지14년 전

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공급망

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 onsemi MJE13009G에 대한 설명입니다.

12 A, 400 V NPN Bipolar Power Transistor

onsemi

Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

IHS

Trans GP BJT NPN 400V 12A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB Rail

Verical

Bipolar Transistors - BJT 12A 400V 100W NPN

Fly-Wing Technology

RF Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:400V; Package/Case:3-TO-220; Power Dissipation, Pd:2W; DC Current Gain Min (hfe):6; Frequency Min:100MHz; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes

Newark

The MJE13009 is designed for high-voltage high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220 V switchmode applications such as Switching Regulators Inverters Motor Controls Solenoid/Relay drivers and Deflection circuits.

North Star Micro