onsemi FQB44N10TM

Name: onsemi FQB44N10TM
Brand: onsemi
SKU: FQB44N10TM

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 100 V, 43.5 A, 52 mΩ, D2PAK

$ 1.08

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	FQB44N10TM	90	1	Cut Tape	3.570	2.460	1.830	1.830	1.830
Verical	6	FQB44N10TM	923	6			1.082	1.071	1.059	1.059
Arrow Electronics	2	FQB44N10TM	923	1		1.088	1.082	1.071	1.059	1.059
Rochester Electronics	2	FQB44N10TM	1,742					1.340	1.110	0.992	8h
DigiKey	3	FQB44N10TMCT-ND	1,102	1	Cut Tape	3.380	2.198	1.524	1.524	1.524

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공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2000-09-13

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

설명

유통업체에서 제공한 onsemi FQB44N10TM에 대한 설명입니다.

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 100 V, 43.5 A, 52 mΩ, D2PAK

onsemi

Trans MOSFET N-CH 100V 43.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK

Win Source

N-Channel 100 V 0.039 Ohm 48 nC SMT QFET Mosfet - TO-263-3

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 43.5A I(D), 100V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Semicontronic

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:43.5A; On Resistance, Rds(on):0.039ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:2-TO-263 ;RoHS Compliant: Yes

Newark

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.

Fairchild Semiconductor