onsemi FDP2D3N10C

Name: onsemi FDP2D3N10C
Brand: onsemi
SKU: FDP2D3N10C

MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3 / N-Channel 100 V 222A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Newark	FDP2D3N10C	761	1		8.930	5.530	5.180	5.080	5.080
Rochester Electronics	FDP2D3N10C	142,378					3.230	2.890	2.720	23h
DigiKey	FDP2D3N10C-ND	649	1	Tube	7.640	7.640	3.793	3.228	3.228
Onlinecomponents.com	FDP2D3N10C	0	200	Bulk				3.210	3.210
Master Electronics	FDP2D3N10C	0	200					3.210	3.210

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공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2017-05-12

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

설명

유통업체에서 제공한 onsemi FDP2D3N10C에 대한 설명입니다.

MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3 / N-Channel 100 V 222A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3

Win Source

FDP Series 100V 2.3mOhm 45W Through Hole N-Channel PowerTrench® Mosfet - TO-220

Future Electronics

N-Channel PowerTrench® MOSFET, Shielded Gate, 100V, 222A, 2.3mΩ N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, 100V, 222A, 2.3mΩ

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Fairchild Semiconductor