onsemi FDN338P

Name: onsemi FDN338P
Brand: onsemi
SKU: FDN338P

P-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, -20V, -1.6A, 115mΩ

$ 0.135

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		FDN338P	573,000	3K						0.109	2d
Future Electronics	2	FDN338P	249,000	3K	Tape & Reel					0.112
Newark	3	FDN338P	4,013	5	Cut Tape		0.436	0.280	0.191	0.191
Arrow Electronics	3	FDN338P	24	1		0.598	0.380	0.380	0.380	0.380
Verical	2	FDN338P	198,000	3K						0.105

재고 내역

3개월 추세: +107%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

onsemi FDN338P에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet6 페이지3년 전

Datasheet0 페이지0년 전

Upverter

element14 APAC

onsemi

Farnell

재고 내역

3개월간의 트렌드:

+107%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 onsemi FDN338P 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	심벌풋프린트	3D	다운로드
Ultra Librarian	심벌풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95

Introduction Date1997-06-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

설명

유통업체에서 제공한 onsemi FDN338P에 대한 설명입니다.

P-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, -20V, -1.6A, 115mΩ

onsemi

P-Channel 20 V 115 mOhm 2.5V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3

Future Electronics

P-CHANNEL 2.5V SPECIFIED POWERTRENCH MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, P, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:1.6A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):130mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-800mV; Power Dissipation Pd:500mW; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:1.6A; Current Temperature:25°C; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; External Width:3.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:500mW; Power Dissipation Pd:500mW; Pulse Current Idm:5A; SMD Marking:338; Tape Width:8mm; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-20V; Voltage Vgs Max:-800mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V

element14 APAC