NXP Semiconductors PDTC114ET

Name: NXP Semiconductors PDTC114ET
Brand: NXP Semiconductors
SKU: PDTC114ET

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor	SKU		Min
UnikeyIC	PDTC114ET	27,000	3K					0.020	5h
Component Stockers USA	PDTC114ET	432		99.990	99.990	99.990	99.990	99.990	2d
Worldway Electronics	PDTC114ET	6,054	7		0.015	0.014	0.014	0.014	7h
Aztech	PDTC114ET	4,018		4.680	4.680	4.680	4.680	4.680	3h
Chipsmall Limited	PDTC114ET	1,480,000	1	0.097	0.064	0.039	0.032	0.032	5h

재고 내역

3개월 추세: +0.00%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

NXP Semiconductors PDTC114ET에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet13 페이지3년 전

Datasheet0 페이지0년 전

Farnell

element14

재고 내역

3개월간의 트렌드:

+0.00%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 NXP Semiconductors PDTC114ET 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드
SnapEDA	풋프린트		다운로드
Ultra Librarian	심벌풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1995-02-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2004-06-30

설명

유통업체에서 제공한 NXP Semiconductors PDTC114ET에 대한 설명입니다.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB

Semicontronic

50 V, 100 MILLI AMPERE NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 KILO OHM, R2 = 10 KILO OHM

Rebound Electronics

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin TO-236AB

Verical

100 mA 50 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB

Component Stockers USA

Bias Resistor Transistor; Transistor Type:Small Signal Digital (BRT); Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current, Ic:100mA; Base Input Resistor, R1:10kohm ;RoHS Compliant: Yes

Newark

TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:30; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Collector Emitter Voltage Vces:150mV; Continuous Collector Current Ic Max:100mA; Current Ic Continuous a Max:100mA; Current Ic hFE:5mA; Hfe Min:30; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:250mW; Power Dissipation Ptot Max:250mW; SMD Marking:p/t16; Termination Type:SMD; Transistor Type:Bias Resistor (BRT); Voltage Vcbo:50V

element14 APAC

Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 100 / DC Current Gain (hFE) = 30 / Power Dissipation (Pd) mW = 250 / Typical Input Resistor kOhm = 10 / Typical Resistor Ratio kOhm = 1 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 50 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 50 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 10 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 150 / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Operating Frequency MHz = 230

Distrelec