NXP Semiconductors MRFE6S9045NR1

Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 880 MHz, 10 W Avg., 28 V
Obsolete
제조업체 페이지데이터시트

가격 및 재고

모든 가격 할인 보기
DistributorSKUMinPkg
RFMWMRFE6S9045NR101
10h
Farnell
2
MRFE6S9045NR10500Custom Reel
9h
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.MRFE6S9045NR11,9911Tape & Reel
2d
Worldway ElectronicsMRFE6S9045NR14,4047Tape & Reel
14h
IC Components Ltd.MRFE6S9045NR12,117
3d

데이터시트 및 문서

NXP Semiconductors MRFE6S9045NR1에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet15 페이지18년 전

NXP Semiconductors SCT

Freescale Semiconductor

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 NXP Semiconductors MRFE6S9045NR1 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스이캐드엠캐드파일
SnapEDA
풋프린트
다운로드
캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.
Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date2007-10-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)

관련 부품

NXP SemiconductorsMRFE6S9060NR1
Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 880 MHz, 14 W Avg., 28 V
세부 사항
NXP SemiconductorsMW6S010NR1
RF Power Transistor,450 to 1500 MHz, 10 W, Typ Gain in dB is 18 @ 960 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1732
세부 사항
NXP SemiconductorsMRF6S20010GNR1
RF Power Transistor,1600 to 2200 MHz, 10 W, Typ Gain in dB is 15.5 @ 2170 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1731
세부 사항
NXP SemiconductorsMRF6S20010NR1
RF Power Transistor,1600 to 2200 MHz, 10 W, Typ Gain in dB is 15.5 @ 2170 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1732
세부 사항
NXP SemiconductorsMRF6S27015NR1
Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2300-2700 MHz, 3 W Avg., 28 V
세부 사항
NXP SemiconductorsMRF6V2010NR1
RF Power Transistor,10 to 450 MHz, 10 W, Typ Gain in dB is 23.9 @ 220 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1732
세부 사항

설명

유통업체에서 제공한 NXP Semiconductors MRFE6S9045NR1에 대한 설명입니다.

Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 880 MHz, 10 W Avg., 28 V
Freescale Semiconductor
RF Power Transistor,865 to 960 MHz, 45 W, Typ Gain in dB is 22.1 @ 880 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1732
RFMW
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-270
Semicontronic
RF MOSFET, N CHANNEL, 66V, TO-270; Transistor Type:RF MOSFET; Drain Source Voltage Vds:66V; Operating Frequency Min:920MHz; Operating Frequency Max:960MHz; RF Transistor Case:TO-270; No. of Pins:2; Filter Terminals:Surface Mount
element14 APAC
RF MOSFET, N CHANNEL, 66V, TO-270; Transistor Type:RF FET; Drain Source Voltage, Vds:66V; RF Transistor Case:TO-270; Gain:22.1dB; Gate-Source Voltage:12V; Leaded Process Compatible:Yes; Operating Frequency Max:880MHz ;RoHS Compliant: Yes
Newark

이미지

NXP Semiconductors
element14
RFMW
Lanka Micro

제조업체 별칭

NXP Semiconductors에는 유통업체가 대체하여 사용할 수 있는 전 세계 여러 브랜드가 있습니다. NXP Semiconductors는 다음 이름으로도 알려져 있습니다:

  • NXP
  • PHILIPS
  • PHIL
  • NXP USA Inc
  • PHI
  • PHILLIPS
  • NXP SEMI
  • NXP SEMICONDUCTOR
  • PHILIPS/NXP
  • PHILIPS SEMICONDUCTORS
  • PHILIP
  • NXP/PHILIPS
  • PHILIPS SEMICONDUCTOR
  • PHILPS
  • PHILIPS COMPONENTS
  • PHILIPS SEMI
  • PHL
  • PHLIPS
  • NXP Semicon
  • NXP / Freescale
  • PHILL
  • PHILIPS ECG
  • Philips Semiconducto
  • PHILLIP
  • PHILI
  • Philips Semiconductors
  • NXP Semiconductors NV
  • NXP