NXP Semiconductors MMZ25333BT1

Name: NXP Semiconductors MMZ25333BT1
Brand: NXP Semiconductors
SKU: MMZ25333BT1

RF Amplifier, InGaP HBT, 3 Stage, 1500MHz to 2700MHz, 40db Gain, 5V, HVQFN-24

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EOL

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	3	MMZ25333BT1CT-ND	3,163	1	Cut Tape	17.350	15.100	13.248	12.154	12.154
RFMW		MMZ25333BT1	0	1							3h
Future Electronics		MMZ25333BT1	0	1K	Tape & Reel				6.930	6.930
Avnet		MMZ25333BT1	0	1K					6.825	6.678	1d
Arrow Electronics		MMZ25333BT1	0	1		6.327	6.327	6.327	6.327	6.327

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Future Electronics

Datasheet19 페이지11년 전

IHS

Freescale Semiconductor

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.33.00.01

Introduction Date2014-06-03

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)

LTB Date2026-06-10

LTD Date2026-12-10

설명

유통업체에서 제공한 NXP Semiconductors MMZ25333BT1에 대한 설명입니다.

RF Amplifier, InGaP HBT, 3 Stage, 1500MHz to 2700MHz, 40db Gain, 5V, HVQFN-24

EBV Elektronik

RF Amp Dual Power Amp 2.7GHz 6V 24-Pin QFN EP T/R

Verical

InGaP HBT Linear Amplifier, 1800-2700 MHz, 45 dB, 31.4 dBm, HVQFN24, RoHS

NXP Semiconductors SCT

RF AMPLIFIER, 2700MHZ, HVQFN-24; Frequency Min: 1500MHz; Frequency Max: 2700MHz; Gain: 40dB; Noise Figure Typ: -; RF IC Case Style: HVQFN; No. of Pins: 24Pins; Supply Voltage Min: -; Supply Voltage Max: 5V; Operating Temperature

Farnell

Power Gain (Gp) dB = 43 / Amplifier Type = Linear Power / Channels = 1 / Output Power (P1) dBm = 32 / Output Power (Ip3) dBm = 42.8 / Supply Current mA = 265 / Operating Frequency Min. GHz = 1.5 / Operating Frequency Max. GHz = 2.7 / Technology = InGaP/GaAs HBT / Supply Voltage Max. V = 5 / Package Type = HVQFN / Pins = 24 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Length mm = 4 / Width mm = 4 / Height mm = 0.85 / Reflow Temperature Max. °C = 260

Distrelec