NXP Semiconductors BSH111,215

Name: NXP Semiconductors BSH111,215
Brand: NXP Semiconductors
SKU: BSH111,215

NEXPERIA - BSH111, 215 - MOSFET Transistor, N Channel, 335 mA, 55 V, 2.3 ohm, 4.5 V, 1 V

$ 0.107

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical	2	BSH111,215	212,734	2799						0.120
Rochester Electronics		BSH111,215	328,724					0.129	0.107	0.096	21h
Worldway Electronics	2	BSH111,215	13,623	7	Tape & Reel		0.032	0.031	0.030	0.030	2h
Fmall Co., Limited		BSH111,215	30,500			0.045	0.045	0.042	0.039	0.036	14h
Aztech		BSH111,215	11,484			0.060	0.060	0.060	0.060	0.060	18h

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3개월 추세: Restocked

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IHS

Datasheet14 페이지28년 전

element14 APAC

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3개월간의 트렌드:

Restocked

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75

Introduction Date2002-04-29

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2015-06-30

LTD Date2015-12-31

설명

유통업체에서 제공한 NXP Semiconductors BSH111,215에 대한 설명입니다.

NEXPERIA - BSH111,215 - MOSFET Transistor, N Channel, 335 mA, 55 V, 2.3 ohm, 4.5 V, 1 V

Fly-Wing Technology

Trans MOSFET N-CH 55V 0.335A 3-Pin TO-236AB T/R

Avnet

Mosfet, N Channel, 55V, 335Ma, 3-Sot-23

Newark

335 mA 55 V N-CHANNEL Si SMALL SIGNAL MOSFET TO-236AB

Component Stockers USA

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.335A I(D), 55V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

IHS

N-channel TrenchMOS extremely low level FET

Nexperia

MOSFET, N, SOT-23; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 335mA; Drain Source Voltage Vds: 55V; On Resistance Rds(on): 2.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: 1V; Power Dissipation

Farnell