Nexperia PEMD6,115

Name: Nexperia PEMD6,115
Brand: Nexperia
SKU: PEMD6,115

50 V, 100 mA NPN/PNP Resistor-Equipped Transistor; R1 = 4.7 kΩ, R2 = open

$ 0.127

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical	3	PEMD6,115	4,000	4K						0.084
Arrow Electronics		PEMD6,115	4,000	4K						0.090
Rochester Electronics	2	PEMD6,115	18,970					0.164	0.136	0.121	23h
DigiKey	2	1727-PEMD6,115CT-ND	3,200	1	Cut Tape	0.460	0.281	0.178	0.118	0.106
TME	2	PEMD6.115	0	1		0.460	0.281	0.177	0.177	0.177	21h

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3개월 추세: +8.21%

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IHS

Datasheet8 페이지16년 전

Nexperia

TME

Farnell

재고 내역

3개월간의 트렌드:

+8.21%

공급망

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-04-08

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

설명

유통업체에서 제공한 Nexperia PEMD6,115에 대한 설명입니다.

50 V, 100 mA NPN/PNP Resistor-Equipped Transistor; R1 = 4.7 kΩ, R2 = open

Nexperia

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-666 T/R

Verical

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon

IHS

PEMD6 Series NPN/PNP 4.7 kOhm / Open Resistor-Equipped Transistors - SOT-666

Future Electronics

Small Signal Digital (BRT) Transistor; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:4.7kohm; RF Transistor Case:SOT-666; No. of Pins:6 ;RoHS Compliant: Yes

Newark

TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SOT666; Transistor Polarity:NPN / PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-666; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:100mV; Current Ic Continuous a Max:5mA; Hfe Min:200; Package / Case:SOT-666; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose

element14 APAC