Nexperia PBSS5440D,115

Name: Nexperia PBSS5440D,115
Brand: Nexperia
SKU: PBSS5440D,115

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 6 Pin

$ 0.331

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		PBSS5440D,115	3,092	1	Cut Tape	1.420	0.876	0.567	0.427	0.427
DigiKey	2	1727-5775-1-ND	670	1	Cut Tape	0.850	0.530	0.343	0.236	0.236
Avnet		PBSS5440D,115	0	6K						0.174	4h
Farnell	2	PBSS5440D,115	3,092	1	Cut Tape	1.267*	0.783*	0.506*	0.380*	0.333*	2h
element14 APAC	2	PBSS5440D,115	3,092	1	Cut Tape	1.255*	0.775*	0.501*	0.347*	0.301*	16h

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3개월 추세: -2.36%

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IHS

Datasheet13 페이지16년 전

Nexperia

Newark

Future Electronics

Farnell

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-2.36%

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2005-04-28

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

설명

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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 6 Pin

IHS

40 V, 4 A PNP low VCEsat transistor

Nexperia

Trans GP BJT PNP 40V 4A Automotive 6-Pin TSOP T/R

Verical

40V 1.1W 4A 30@6A2V 110MHz 320mV@6A600mA PNP +150¡Í@(Tj) SOT-457 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

450mV@ 600mA,6A PNP 2.5W 5V 100nA 40V 40V 4A TSOP-6 3.1mm*1.7mm*1mm

UnikeyIC

TRANS PNP 40V 4A LOW SAT SOT457; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency Typ ft:110MHz; Power Dissipation Pd:1.1W; DC Collector Current:-4A; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-457; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:-60mV; Current Ic Continuous a Max:-500mA; Gain Bandwidth ft Typ:110MHz; Hfe Min:200; Package / Case:SOT-457; Power Dissipation Pd:1.1W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS)

element14 APAC