Nexperia PBSS306NZ,135

Name: Nexperia PBSS306NZ,135
Brand: Nexperia
SKU: PBSS306NZ,135

PBSS306NZ Series 100 V 5.1 A SMT NPN Low VCEsat (BISS) Transistor - SOT-223

$ 0.523

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	PBSS306NZ,135	20	1	Cut Tape	3.190	2.200	2.200	2.200	2.200
Verical		PBSS306NZ,135	4,000	595					0.582	0.519
Rochester Electronics	2	PBSS306NZ,135	12,000					0.561	0.465	0.415	16h
Future Electronics		PBSS306NZ,135	0	4K	Tape & Reel					1.130
Avnet		PBSS306NZ,135	0	4K							4d

재고 내역

3개월 추세: -50.62%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Nexperia PBSS306NZ,135에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

Future Electronics

Datasheet15 페이지16년 전

Newark

IHS

Farnell

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-50.62%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Nexperia PBSS306NZ,135 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드
SnapEDA	풋프린트	3D	다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75

Introduction Date2006-09-21

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

설명

유통업체에서 제공한 Nexperia PBSS306NZ,135에 대한 설명입니다.

PBSS306NZ Series 100 V 5.1 A SMT NPN Low VCEsat (BISS) Transistor - SOT-223

Future Electronics

Small Signal Bipolar Transistor, 5.1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Semicontronic

Trans GP BJT NPN 100V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Avnet Japan

100V 700mW 5.1A 60@5A2V 110MHz 215mV@5.1A255mA NPN +150¡Í@(Tj) SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency Typ, ft:110MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:5.1A; DC Current Gain Max (hfe):330 ;RoHS Compliant: Yes

Newark

TRANS NPN 100V 5.1A SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:700mW; DC Collector Current:5.1A; DC Current Gain hFE:330; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:40mV; Current Ic Continuous a Max:500mA; Gain Bandwidth ft Typ:110MHz; Hfe Min:200; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:700mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS)

element14 APAC