Microchip DN3135K1-G

Name: Microchip DN3135K1-G
Brand: Microchip
SKU: DN3135K1-G

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.072A; 35ohm; 0.36W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	DN3135K1-G	982	1	Cut Tape	0.431	0.431	0.431	0.431	0.431
Avnet	2	87X8687	982	1		0.711	0.711	0.583	0.583	0.583	3d
Onlinecomponents.com		DN3135K1-G	3,999	500	Bulk				0.517	0.513
Master Electronics		DN3135K1-G	3,999	500					0.517	0.513
TME	2	DN3135K1-G	279	1		0.951*	0.951*	0.951*	0.951*	0.951*	6h

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Microchip

Datasheet12 페이지9년 전

Future Electronics

Electro Sonic

Mouser

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공급망

Projected EOL Date2034-06-16

Country of AssemblyThailand

Country of FabricationUnited States of America

Country of OriginThailand

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.0095

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)

Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 1 day ago)

설명

유통업체에서 제공한 Microchip DN3135K1-G에 대한 설명입니다.

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.072A; 35ohm; 0.36W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23

Maritex

MOSFET Housing type: SOT-23 Polarity: N Variants: Depletion mode Power dissipation: 0.36 W

Distrelec

Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R

Verical

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.072A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

Semicontronic

MOSFET, N CH, 350V, 0.072A, SOT-23-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 72mA; Drain Source Voltage Vds: 350V; On Resistance Rds(on): 35ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 0V; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipation Pd: 360mW; Transistor Case Style: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Farnell