Littelfuse IXTN200N10L2

Name: Littelfuse IXTN200N10L2
Brand: Littelfuse
SKU: IXTN200N10L2

MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B / N-Channel 100 V 178A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

$ 40.387

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IXTN200N10L2	508	1		50.490	38.130	35.840	35.840	35.840
Arrow Electronics		IXTN200N10L2	20	20				40.879	40.879	40.879
Verical		IXTN200N10L2	20	20				40.749	40.749	40.749
DigiKey		238-IXTN200N10L2-ND	913	1	Tube	57.670	43.851	40.024	40.024	40.024
TME	2	IXTN200N10L2	0	1		46.820	46.820	43.700	43.700	43.700	19h

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Datasheet6 페이지16년 전

Datasheet5 페이지16년 전

element14 APAC

TME

Future Electronics

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+576%

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-02-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Littelfuse IXTN200N10L2에 대한 설명입니다.

MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B / N-Channel 100 V 178A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Win Source

N-Channel 100 V 11 mOhm 540 nC 830 W Power MOSFET - SOT-227

Future Electronics

MOSFET, N-CH, 100V, 178A, SOT-227; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:178A; Drain Source Voltage Vds:100V; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4.5V; Power Dissipation:830W; No. of Pins:4Pins RoHS Compliant: Yes

Newark

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 178 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 11 / Gate-Source Threshold Voltage V = 4.5 / Gate-Source Voltage V = 20 / Power Dissipation (Pd) W = 830 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Fall Time ns = 27 / Rise Time ns = 225 / Turn-OFF Delay Time ns = 127 / Turn-ON Delay Time ns = 40 / Package Type = SOT-227B / Mounting Type = SMD / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 260

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