Infineon SPW32N50C3FKSA1

Name: Infineon SPW32N50C3FKSA1
Brand: Infineon
SKU: SPW32N50C3FKSA1

Power MOSFET, N Channel, 560 V, 32 A, 0.11 ohm, TO-247, Through Hole

$ 4.031

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	98K0741	2	1		10.660	8.530	6.940	6.940	6.940	11h
Arrow Electronics		SPW32N50C3FKSA1	2,023	1		9.494	9.494	5.593	4.031	3.865
Rutronik		TMOSP6832	1,080	30				3.970	3.370	3.370	16h
DigiKey		448-SPW32N50C3FKSA1-ND	482	1	Tube	9.530	9.530	5.585	4.083	3.953
Newark		SPW32N50C3FKSA1	0	1		10.660	9.630	7.970	6.940	6.940

재고 내역

3개월 추세: -47.34%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon SPW32N50C3FKSA1에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

Newark

Datasheet12 페이지21년 전

iiiC

Farnell

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-47.34%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon SPW32N50C3FKSA1 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-08-06

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

관련 부품

STMicroelectronicsSTW47NM60ND

Trans MOSFET N-CH 600V 35A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

세부 사항

STMicroelectronicsSTW45N65M5

N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A, MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package

세부 사항

InfineonIPW65R099C6FKSA1

278W 20V 2.5V 127nC@ 10V 1N 650V 99m¦¸@ 10V 38A 2.78nF@ 100V TO-247 16.13mm*5.21mm*21.1mm

세부 사항

STMicroelectronicsSTW43NM60ND

N-channel 600 V, 0.075 Ohm, 35 A, TO-247 FDmesh(TM) Power MOSFET (with fast diode)

세부 사항

InfineonIPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin TO-247 Tube

세부 사항

InfineonIPW65R095C7XKSA1

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-247, Through Hole

세부 사항

InfineonSPW35N60C3FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

세부 사항

VishaySIHG33N60E-GE3

SiHG33N60E Series ±30 V 33 A 278 W Through Hole Power Mosfet - TO-247AC

세부 사항

InfineonIPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

세부 사항

InfineonIPW60R099C6FKSA1

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 37.9 A, 99 Milliohms, TO-247, 3 Pins, Through Hole

세부 사항

onsemiFCH099N60E

N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 37 A, 99 mΩ, TO-247

세부 사항

VishaySIHG33N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC / Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC

세부 사항

설명

유통업체에서 제공한 Infineon SPW32N50C3FKSA1에 대한 설명입니다.

Power MOSFET, N Channel, 560 V, 32 A, 0.11 ohm, TO-247, Through Hole

EBV Elektronik

Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 500V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AA

IHS

Replacement for 500V CoolMOS™ C3 is CoolMOS™ P7.500V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio.

Infineon

MOSFET, N, COOLMOS, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32A; Drain Source Voltage Vds:560V; On Resistance Rds(on):110mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:284W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Cont Current Id @ 25°C:32A; Current Id Max:32A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Pd:284W; Power Dissipation Pd:284W; Power Dissipation Ptot Max:284W; Pulse Current Idm:96A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:560V; Voltage Vds Typ:560V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:3.9V

element14 APAC