Infineon SPA07N60C3XKSA1

Name: Infineon SPA07N60C3XKSA1
Brand: Infineon
SKU: SPA07N60C3XKSA1

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220F, Through Hole

$ 0.981

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor	SKU		Min	Pkg
Newark	SPA07N60C3XKSA1	478	1		2.900	2.890	1.300	0.973	0.973
Arrow Electronics	SPA07N60C3XKSA1	3,538	1		0.981	0.981	0.981	0.981	0.981
Rochester Electronics	SPA07N60C3XKSA1	600					1.190	0.988	0.881	21h
DigiKey	SPA07N60C3XKSA1-ND	217	1	Tube	2.910	2.910	1.299	1.299	1.299
Avnet	SPA07N60C3XKSA1	0	1		1.637	1.264	0.739	0.739	0.739	2d

재고 내역

3개월 추세: -13.85%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon SPA07N60C3XKSA1에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet15 페이지0년 전

Upverter

element14 APAC

iiiC

Farnell

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-13.85%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon SPA07N60C3XKSA1 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2001-06-18

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon SPA07N60C3XKSA1에 대한 설명입니다.

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220F, Through Hole

EBV Elektronik

Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Verical

650V 7.3A 32W 600mΩ@10V,4.6A 3.9V@250uA 1 N-Channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS

ODG (Origin Data Global)

MOSFET, N, 600V, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.3A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):600mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:32W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220F; No. of Pins:3; Current Id Max:7.3A; Package / Case:TO-220F; Power Dissipation Pd:32W; Power Dissipation Pd:32W; Pulse Current Idm:21.9A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:650V; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

Replacement for 600V CoolMOS C3 is 600V CoolMOS C6/E6 >> Click & go to 600V CoolMOS C6/E6 | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Server; Telecom; Consumer; PC power; Adapter

Infineon

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 7.3 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 600 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 600 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 7 / Rise Time ns = 3.5 / Turn-OFF Delay Time ns = 60 / Turn-ON Delay Time ns = 6 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-220FP / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 32

Distrelec