Infineon S29GL01GT10FHI010

Name: Infineon S29GL01GT10FHI010
Brand: Infineon
SKU: S29GL01GT10FHI010

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray

$ 12.049

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Newark		S29GL01GT10FHI010	1,041	1		18.150	16.830	15.550	14.810	14.810
Arrow Electronics	2	S29GL01GT10FHI010	1,458	1		17.038	15.994	14.210	12.049	12.049
Rochester Electronics		S29GL01GT10FHI010	28					9.700	8.680	8.170	6h
DigiKey		S29GL01GT10FHI010-ND	2,297	1	Tray	17.620	16.344	15.450	14.163	14.163
Future Electronics		S29GL01GT10FHI010	0	1800	Tray					10.810

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Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

설명

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NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray

Verical

Parallel NOR Flash Memory, 1024 Mbit Density, 100 ns Initial Access Time, FBGA-64, RoHS

Cypress Semiconductor SCT

Flash Memory, MirrorBit Eclipse Architecture, Parallel NOR, 1 Gbit, 128M x 8bit, CFI, Parallel

EBV Elektronik

Active 2016 BOTTOM Non-Volatile FLASH Memory -40C~85C TA 2.7V 1073741824bit 11mm

Fly-Wing Technology

1Gb (128M x 8) 64MX16 2.7V 60mA 3.6V Parallel 16bit LBGA-64 13mm*11mm*1.4mm

UnikeyIC

Flash Memory 1 GBIT, 3V, 100NS, 64-BALL FBGA, PAGE MODE FLASH MEMORY FEATURING 45 NM MIRRORBIT PROCESS TECHNOLOGY, HIGHEST ADDRESS SECTOR PROTECTED

Avnet

Flash Memory, 1Gbit, 85Deg C, Fbga-64; Flash Memory Type:Parallel Nor; Memory Configuration:128M X 8Bit; Interfaces:Cfi, Parallel; Ic Case/Package:Fbga; No. Of Pins:64Pins; Clock Frequency Max:-; Access Time:100Ns Rohs Compliant: Yes |Cypress Infineon Technologies S29GL01GT10FHI010

Newark