Infineon IRLR2908PBF

Name: Infineon IRLR2908PBF
Brand: Infineon
SKU: IRLR2908PBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 80V; RDS(ON) 22.5 Milliohms; ID 39A; D-Pak (TO-252AA); -55de

$ 1.6

Obsolete

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRLR2908PBF	0	5	Bulk		1.780	1.600	1.600	1.600	11h
Win Source	WS-IRLR2908PBF	18,130	60				0.876	0.584	0.584	22h
Worldway Electronics	IRLR2908PBF	11,176	7	Tube		1.696	1.664	1.600	1.568	21h
Aztech	IRLR2908PBF	7,055			0.360	0.360	0.360	0.360	0.360	17h
Anlinkda	IRLR2908PBF	43,493			0.210	0.188	0.172	0.166	0.163	21h

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon IRLR2908PBF에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

Newark

Datasheet11 페이지15년 전

Datasheet12 페이지21년 전

IHS

DigiKey

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon IRLR2908PBF 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2003-02-13

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRLR2908PBF에 대한 설명입니다.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 80V;RDS(ON) 22.5 Milliohms;ID 39A;D-Pak (TO-252AA);-55de

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 80 V 28 mOhm 22 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Future Electronics

80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 80V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; Logic Level

Infineon

MOSFET, N, 80V, 39A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:39A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):28mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:120W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:30A; Junction to Case Thermal Resistance A:1.3°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:28mohm; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:120W; Power Dissipation Pd:120W; Pulse Current Idm:150A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:80V; Voltage Vgs Max:2.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.5V

element14 APAC