Infineon IRGS14C40LPBF

Name: Infineon IRGS14C40LPBF
Brand: Infineon
SKU: IRGS14C40LPBF

IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps | IGBT 430V 20A 125W D2PAK

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRGS14C40LPBF	0	3200	Bulk					5.880	17h
Farnell	2	IRGS14C40L	0	1		2.903*	2.903*	1.580*	1.161*	1.161*	4h
Microchip USA		IRGS14C40L	149	600	Tube				1.522	1.522	4d
Win Source	2	WS-IRGS14C40L	21,000	90				0.672	0.448	0.448	5h
Worldway Electronics	2	IRGS14C40L	11,600	7	Tube		0.571	0.553	0.524	0.524	4h

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ODG (Origin Data Global)

Datasheet12 페이지21년 전

IHS

Newark

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2000-10-04

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRGS14C40LPBF에 대한 설명입니다.

IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps | IGBT 430V 20A 125W D2PAK

Win Source

IRGS14C40LPBF Series 430 V 14 A N-Channel Ignition IGBT - D2PAK-3

Future Electronics

Tube Surface Mount N-CHANNEL Single IGBT Transistor 1.75V @ 5V 14A 14A 125W 2.8ns

AAA CHIPS

Trans IGBT Chip N-CH 370V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Avnet

430V Low-Vceon Discrete IGBT in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

IGBT Housing type: D2-PAK Collector-emitter breakdown voltage: 430 V Collector-emitter saturation voltage: 1.4 V Current release time: 2800 ns Power dissipation: 125 W

Distrelec

IGBT, D2PAK; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.4V; Power Dissipation Pd: 125W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 430V; Transistor Case Style: TO-263; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Current

Farnell

IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:20A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.75V; Power Dissipation, Pd:125W; Package/Case:TO-263 ;RoHS Compliant: Yes

Newark

IGBT, D2-PAK; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Voltage Vces:1.4V; Power Dissipation Pd:125W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:430V; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:20A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Max:125W; Power Dissipation Pd:125W; Power Dissipation Pd:125W; Rise Time:2.8ns; SMD Marking:GS14C40L; Termination Type:SMD; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:400V

element14 APAC