Infineon IRG7PH35UD1PBF

Name: Infineon IRG7PH35UD1PBF
Brand: Infineon
SKU: IRG7PH35UD1PBF

1200V UltraFast Discrete IGBT in a TO-247 package with Ultra-Low Vf Diode

$ 6.8

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRG7PH35UD1PBF	0	100	Bulk			6.800	6.800	6.800	6h
Farnell	IRG7PH35UD1PBF	0	1		4.299*	3.603*	3.456*	3.456*	3.456*	5h
Win Source	WS-IRG7PH35UD1PBF	6,000	7			8.369	5.579	5.579	5.579	6h
Worldway Electronics	IRG7PH35UD1PBF	9,806	7	Tube		1.635	1.585	1.501	1.501	5h
Anlinkda	IRG7PH35UD1PBF	13,777			1.294	1.159	1.054	1.018	0.998	13h

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IHS

Datasheet10 페이지13년 전

Newark

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-02-09

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRG7PH35UD1PBF에 대한 설명입니다.

1200V UltraFast Discrete IGBT in a TO-247 package with Ultra-Low Vf Diode

International Rectifier

IGBT WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPL Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC

ComSIT Distribution GmbH

IGBT,N CH,DIODE,1200V,50A,TO-247AC; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:50A; Collector Emitter Voltage Vces:1.9V; Power Dissipation Pd:179W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:179W

Farnell