Infineon IRG4PF50WDPBF

Name: Infineon IRG4PF50WDPBF
Brand: Infineon
SKU: IRG4PF50WDPBF

IRG4PF50WDPBF Series 900 V 28 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-247AC

$ 16.53

Obsolete

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRG4PF50WDPBF	0	1	Bulk	18.790	16.530	16.530	16.530	16.530	17h
Farnell	2	IRG4PF50WDPBF	0	1		9.865*	7.825*	6.496*	6.496*	6.496*	3h
Win Source	2	WS-IRG4PF50WD	5,000	3			15.154	13.034	13.034	13.034	4h
Worldway Electronics	2	IRG4PF50WD	12,283	7			4.391	4.257	4.033	4.033	2h
IC Components Ltd.	2	IRG4PF50WD	4,594			11.390	11.390	11.390	11.390	11.390	2d

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon IRG4PF50WDPBF에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet11 페이지22년 전

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

DigiKey

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon IRG4PF50WDPBF 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2001-04-03

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRG4PF50WDPBF에 대한 설명입니다.

IRG4PF50WDPBF Series 900 V 28 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-247AC

Future Electronics

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 51A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC

ComSIT Distribution GmbH

Copacked 900V IGBT in a TO-247AC package with ultrafast 20-100 kHz ultrafast, ultrasoft recovery anti-parallel diode, TO247COPAK-3, RoHS

Infineon SCT

IGBT Housing type: TO-247AC Collector-emitter breakdown voltage: 900 V Collector-emitter saturation voltage: 2.7 V Current release time: 190 ns Power dissipation: 200 W

Distrelec

IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:51A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2.7V; Power Dissipation, Pd:200W; Package/Case:TO-247AC ;RoHS Compliant: Yes

Newark

IGBT, TO-247; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.25V; Power Dissipation Pd: 200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 900V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins: 3Pins; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Cu

Farnell

IGBT, 900V, 51A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:51A; Collector Emitter Voltage Vces:2.25V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:900V; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:51A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRG4PF50WDPbF; Fall Time Max:190ns; Fall Time tf:220ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Max:200W; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Pulsed Current Icm:204A; Rise Time:52ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:900V

element14 APAC