Infineon IRG4PC40KPBF

Name: Infineon IRG4PC40KPBF
Brand: Infineon
SKU: IRG4PC40KPBF

Bulk Through Hole ROHS3Compliant IGBT Transistor 2.6V @ 15V 25A 42A 160W 30ns/140ns

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	2	IRG4PC40KPBF	112,633					1.330	1.190	1.120	14h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRG4PC40KPBF	0	325	Bulk				7.360	7.360	6h
Farnell		IRG4PC40KPBF	0	1		4.633*	3.346*	2.926*	2.086*	2.086*	1d
Microchip USA		IRG4PC40K	279	600	Bag				2.419	2.419	7h
Win Source	2	WS-IRG4PC40K	8,800	20				2.339	1.961	1.961	15h

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IHS

Datasheet9 페이지21년 전

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Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1997-03-20

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRG4PC40KPBF에 대한 설명입니다.

Bulk Through Hole ROHS3Compliant IGBT Transistor 2.6V @ 15V 25A 42A 160W 30ns/140ns

Fly-Wing Technology

IRG4PC40KPBF 600 V 25 A Flange Mount UltraFast IGBT - TO-247AC

Future Electronics

SHORT CIRCUIT RATED ULTRAFAST INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC

ComSIT Distribution GmbH

IGBT; Transistor Type:IGBT; Continuous Collector Current, Ic:42A; Power Dissipation, Pd:160W; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:600V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2.6V; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No

Newark

IGBT, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:42A; Collector Emitter Voltage Vces:2.6V; Power Dissipation Pd:160W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Av Current Ic:42A; Current Ic Continuous a Max:42A; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Max:160W; Power Dissipation Pd:160W; Power Dissipation Pd:160W; Pulsed Current Icm:84A; Rise Time:15ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

element14 APAC