Infineon IRG4BC40WPBF

Name: Infineon IRG4BC40WPBF
Brand: Infineon
SKU: IRG4BC40WPBF

600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

$ 3.82

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRG4BC40WPBF	0	1	Bulk	4.100	4.100	3.820	3.820	3.820	17h
Farnell	2	IRG4BC40WPBF	0	1		4.167*	4.167*	4.167*	4.167*	4.167*	11h
Microchip USA		IRG4BC40W	204	600	Tray				1.798	1.798	18h
Win Source	2	WS-IRG4BC40WPBF	38,300	25				1.865	1.565	1.565	2h
Worldway Electronics	2	IRG4BC40WPBF	16,774	7	Tube		1.266	1.227	1.163	1.163	1h

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Newark

Datasheet8 페이지16년 전

Datasheet9 페이지21년 전

Datasheet9 페이지25년 전

Datasheet8 페이지25년 전

IHS

RS (Formerly Allied Electronics)

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1997-06-16

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2009-08-19

LTD Date2010-02-19

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRG4BC40WPBF에 대한 설명입니다.

600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Avnet

IRG4BC40WPBF Series 600 V 20 A N-Channel Latest Generation IGBT - TO-220AB

Future Electronics

Target Applications: Air Conditioner; Dishwasher; Fan; PFC; Pump; Washing Machine

Infineon

Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

IHS

IGBT, TO-220; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.5V; Power Dissipation Pd: 160W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-220; No. of Pins: 3Pins; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Cur

Farnell

IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:40A; Collector Emitter Voltage Vces:2.5V; Power Dissipation Pd:160W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:40A; Current Temperature:25°C; Fall Time Max:74ns; Fall Time tf:74ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:160W; Power Dissipation Pd:160W; Power Dissipation Pd:160W; Pulsed Current Icm:160A; Rise Time:22ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

element14 APAC