Infineon IRG4BC40W-SPBF

Name: Infineon IRG4BC40W-SPBF
Brand: Infineon
SKU: IRG4BC40W-SPBF

600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a D2Pak package, D2PAK-3, RoHS

$ 6.72

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRG4BC40W-SPBF	0	5	Bulk		7.460	6.720	6.720	6.720	9h
Farnell		IRG4BC40W-SPBF	0	1		1.595*	1.595*	1.595*	1.595*	1.595*	16h
Microchip USA		IRG4BC40W-S	313	600	Tube				3.654	3.654	10h
Win Source	2	WS-IRG4BC40W-S	20	15				2.636	2.364	2.364	17h
Worldway Electronics	3	IRG4BC40WS	13,713	7			0.952	0.923	0.874	0.874	16h

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IHS

Datasheet10 페이지16년 전

Upverter

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

DigiKey

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-04-19

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRG4BC40W-SPBF에 대한 설명입니다.

600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a D2Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

IRG4BC40W Series 600 V 40 A Insulated Gate Bipolar Transistor - D2PAK-3

Future Electronics

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Verical

IGBT, D2-PAK; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:40A; Collector Emitter Voltage Vces:2.5V; Power Dissipation Pd:160W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Current Ic Continuous a Max:40A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Max:160W; Power Dissipation Pd:160W; Power Dissipation Pd:160W; Pulsed Current Icm:160A; Rise Time:23ns; Termination Type:SMD; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

element14 APAC