Infineon IRG4BC40W-LPBF

Name: Infineon IRG4BC40W-LPBF
Brand: Infineon
SKU: IRG4BC40W-LPBF

TUBE / 600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a TO-262 package

$ 4.08

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	IRG4BC40W-LPBF	15,056					1.900	1.700	1.600	14h
RS (Formerly Allied Electronics)	IRG4BC40W-LPBF	0	350	Bulk				6.460	5.680	3h
Farnell	IRG4BC40W-LPBF	0	1		2.298*	1.761*	1.761*	1.761*	1.761*	14h
HQonline	DS0108252	1	1		5.694	5.694	5.694	5.694	5.694	>1w
Microchip USA	IRG4BC40W-LPBF	202	150	Bulk				13.195	13.195	7h

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IHS

Datasheet10 페이지16년 전

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-14.29%

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-04-19

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRG4BC40W-LPBF에 대한 설명입니다.

TUBE / 600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a TO-262 package

Newark

IGBT 600V 40A 2.05V D2PAK RoHSconf

Rutronik

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Verical

N-Channel 600 V 98 nC Insulated Gate Bipolar Transistor Through Hole - TO-262

Future Electronics

Target Applications: Air Conditioner; Dishwasher; Fan; PFC; Pump

Infineon

Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel

Semicontronic

IGBT, SINGLE, N-CH, 600V, 40A, TO-262-3

element14 APAC

IRG4BC40 - DISCRETE IGBT WITHOUT

Vigor Components

IGBT, SINGLE, N-CH, 600V, 40A, TO-262-3; DC Collector Current: 40A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.36V; Power Dissipation Pd: 160W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-262; No.

Farnell