Infineon IRG4BC30UDPBF

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube, TO220COPAK-3, RoHS
$ 6.49
Obsolete

데이터시트 및 문서

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Datasheet10 페이지16년 전
Datasheet10 페이지16년 전

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-04-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

관련 부품

Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube, TO220COPAK-3, RoHS
InfineonIRG4BC30WPBF
600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
InfineonIRG4BC30KPBF
600V UltraFast 8-25 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Trans IGBT Chip N=-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Trans IGBT Chip N=-CH 390V 21A 150000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRG4BC30UDPBF에 대한 설명입니다.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube, TO220COPAK-3, RoHS
Infineon SCT
N-Channel 600 V 23 A Flange Mount Ultrafast CoPack IGBT - TO-220AB
600V UltraFast 8-60 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT Housing type: TO-220AB Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 2.1 V Current release time: 180 ns Power dissipation: 100 W
IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:23A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2.1V; Power Dissipation, Pd:100W; Package/Case:TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes
IGBT, 600V, 23A, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:23A; Collector Emitter Voltage Vces:2.5V; Power Dissipation Pd:100W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:23A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRG4BC30UDPbF; Fall Time Max:80ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:100W; Power Dissipation Pd:100W; Power Dissipation Pd:100W; Pulsed Current Icm:92A; Rise Time:21ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

제조업체 별칭

Infineon에는 유통업체가 대체하여 사용할 수 있는 전 세계 여러 브랜드가 있습니다. Infineon는 다음 이름으로도 알려져 있습니다:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

부품 번호 별칭

이 부품은 다음과 같은 대체 부품 번호로 알려져 있을 수 있습니다.

  • IRFIRG4BC30UDPBF
  • IRG 4BC30 UDPBF
  • IRG4BC30UD
  • SP001547712