Infineon IRG4BC20UDPBF

Name: Infineon IRG4BC20UDPBF
Brand: Infineon
SKU: IRG4BC20UDPBF

Transistor; IGBT; TO-220AB; 13 A; 600 V (Max.); 60 W (Max.); + 20 V (Max.)

$ 4.57

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRG4BC20UDPBF	0	1	Bulk	5.080	4.570	4.570	4.570	4.570	19h
Farnell		IRG4BC20UDPBF	0	1		0.942*	0.942*	0.942*	0.942*	0.942*	2h
Microchip USA		IRG4BC20UD	369	600	Tray				2.638	2.638	20h
Component Stockers USA		IRG4BC20UDPBF	471			99.990	99.990	99.990	99.990	99.990	1d
Win Source	2	WS-IRG4BC20UD	9,786	30				1.550	1.300	1.300	4h

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IHS

Datasheet10 페이지16년 전

Datasheet11 페이지22년 전

Newark

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

DigiKey

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1996-09-30

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2008-03-13

LTD Date2008-09-13

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRG4BC20UDPBF에 대한 설명입니다.

Transistor; IGBT; TO-220AB; 13 A; 600 V (Max.); 60 W (Max.); + 20 V (Max.)

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube, TO220COPAK-3, RoHS

Infineon SCT

IRG4BC20UDPBF Series 600 V 6.5 A N-Channel Ultrafast CoPack IGBT - TO-220AB

Future Electronics

600V UltraFast 8-60 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package

International Rectifier

Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

IHS

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A) | IGBT 600V 13A 60W TO220AB

Win Source

IGBT, 600V, 13A, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:13A; Collector Emitter Voltage Vces:2.4V; Power Dissipation Pd:60W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:13A; Current Temperature:25°C; Fall Time Max:110ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:60W; Power Dissipation Pd:60W; Power Dissipation Pd:60W; Pulsed Current Icm:52A; Rise Time:15ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

element14 APAC

IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:13A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2.1V; Power Dissipation, Pd:60W; Package/Case:TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes

Newark