Infineon IRG4BC10SD-SPBF

IRG4BC10SD-SPBF, IGBT Transistor, 14 A 600 V, 1kHz, 3-Pin D2PAK
$ 2.605
Obsolete
제조업체 페이지데이터시트

가격 및 재고

데이터시트 및 문서

Infineon IRG4BC10SD-SPBF에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet13 페이지21년 전
Datasheet13 페이지21년 전

DigiKey

Newark

재고 내역

3개월간의 트렌드:
+0.00%
Powered bySpectra logo

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon IRG4BC10SD-SPBF 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스이캐드엠캐드파일
SnapEDA
풋프린트
다운로드
캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.
Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-06-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

관련 부품

InfineonIRG4BC15UD-SPBF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
세부 사항
InfineonIRGS4045DPBF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
세부 사항
STMicroelectronicsSTGB7H60DF
H Series 600 V 7 A Surface Mount Trench Gate Field-Stop IGBT - D2PAK
세부 사항
InfineonIRGS6B60KDPBF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 90000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
세부 사항
onsemiHGT1S3N60A4DS9A
Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
세부 사항
STMicroelectronicsSTGB5H60DF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 88000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
세부 사항

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRG4BC10SD-SPBF에 대한 설명입니다.

IRG4BC10SD-SPBF, IGBT Transistor, 14 A 600 V, 1kHz, 3-Pin D2PAK
RS (Formerly Allied Electronics)
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Verical
Fixed Inductors 120μH NO ±5% 1812 (4532 Metric) Tape & Reel (TR) 1MHz 3Ohm Max LQH43 Surface Mount FIXED IND 120UH 150MA 3 OHM SMD
Utmel Electronic
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A) | IGBT 600V 14A 38W D2PAK
Win Source
STANDARD SPEED COPACK INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
ComSIT Distribution GmbH
IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:14A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.8V; Power Dissipation, Pd:38W; Package/Case:D2PAK ;RoHS Compliant: Yes
Newark
IGBT, D2-PAK; DC Collector Current:14A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.58V; Power Dissipation Pd:38W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3Pins; Operating Te
element14 APAC
IGBT, D2-PAK; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current Ic Continuous a Max:14A; Voltage, Vce Sat Max:1.8V; Power Dissipation:38W; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V; Current, Icm Pulsed:18A; No. of Pins:3; Power, Pd:38W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Time, Fall Max:1080ns; Time, Rise:36ns; Transistors, No. of:1
Farnell

이미지

Infineon
Farnell
TME
RS (Formerly Allied Electronics)

제조업체 별칭

Infineon에는 유통업체가 대체하여 사용할 수 있는 전 세계 여러 브랜드가 있습니다. Infineon는 다음 이름으로도 알려져 있습니다:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

부품 번호 별칭

이 부품은 다음과 같은 대체 부품 번호로 알려져 있을 수 있습니다.

  • IRFIRG4BC10SDSPBF
  • IRG4BC10SD-S
  • IRG4BC10SDS
  • IRG4BC10SDSPBF
  • SP001532504