Infineon IRFR3707PBF

Name: Infineon IRFR3707PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR3707PBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 9.7 Milliohms; ID 61A; D-Pak (TO-252AA); PD 87W

Obsolete

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFR3707PBF	0	6K	Bulk					1.730	10h
Farnell	IRFR3707PBF	0	1		0.645*	0.645*	0.645*	0.645*	0.645*	8h
Component Stockers USA	IRFR3707PBF	17,358			0.420	0.410	0.400	0.390	0.390	>1wk
Win Source	WS-IRFR3707PBF	1,280	5			12.449	8.300	8.300	8.300	9h
Worldway Electronics	IRFR3707PBF	9,697	7	Tube		0.568	0.551	0.522	0.522	8h

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon IRFR3707PBF에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet10 페이지21년 전

TME

DigiKey

RS (Formerly Allied Electronics)

공급망

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFR3707PBF에 대한 설명입니다.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 9.7 Milliohms;ID 61A;D-Pak (TO-252AA);PD 87W

RS (Formerly Allied Electronics)

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:61A; On Resistance, Rds(on):13mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D-PAK ;RoHS Compliant: Yes

Newark

MOSFET, N, 30V, 61A, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:61A; Resistance, Rds On:0.013ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:DPAK; Termination Type:SMD; Alternate Case Style:D-PAK; Current, Idm Pulse:244A; Power Dissipation:87W; Power, Pd:87W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:13mohm; Thermal Resistance, Junction to Case A:1.73°C/W; Voltage, Vds Max:30V

Farnell