Infineon IRFH9310TRPBF

Name: Infineon IRFH9310TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFH9310TRPBF

-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5mm x 6mm package, PQFN 5X6 8L, RoHS

$ 0.787

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IRFH9310TRPBF	164	1		1.525	1.116	0.787	0.787	0.787
Avnet		IRFH9310TRPBF	0	4K							3d
Farnell	3	IRFH9310TRPBF	3	1	Cut Tape	2.082*	2.082*	2.082*	2.082*	2.082*	11h
Microchip USA		IRFH9310TRPBF	150	3500						0.414	4d
Verical		IRFH9310TRPBF	164	4			1.116	0.787	0.588	0.498

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Farnell

Datasheet9 페이지11년 전

IHS

RS (Formerly Allied Electronics)

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-08-30

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFH9310TRPBF에 대한 설명입니다.

-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5mm x 6mm package, PQFN 5X6 8L, RoHS

Infineon SCT

IRFH9310 Series 30 V 21 A 4.6 mOhm 3.1 W 110 nC P-Channel MOSFET - PQFN-8

Future Electronics

Trans MOSFET P-CH 30V 21A 8-Pin PQFN T/R

Avnet

MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: PQFN-8 (3x3) Polarity: P Variants: Enhancement mode Power dissipation: 3.1 W

Distrelec

MOSFET,P CH,DIODE,30V,21A,PQFN56; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-21A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):3700µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.9V; Power Dissipation Pd:3.1W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:QFN; No. of Pins:8; MSL:MSL 2 - 1 year; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:-21A; Power Dissipation Pd:3.1W; Voltage Vgs Max:-20V

Farnell

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon