Infineon IRFH5406TRPBF

Name: Infineon IRFH5406TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFH5406TRPBF

Single N-Channel 60 V 14.4 mOhm 32 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm

$ 1.026

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		IRFH5406TRPBF	37					0.833	0.691	0.616	11h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFH5406TRPBF	0	10	Bulk		1.550	1.360	1.360	1.360	2h
Farnell	2	IRFH5406TRPBF	0	1	Cut Tape	0.924*	0.908*	0.892*	0.861*	0.845*	11h
Microchip USA		IRFH5406TRPBF	220	600					1.501	1.501	3d
Component Stockers USA		IRFH5406TRPBF	4,057			0.710	0.710	0.710	0.710	0.710	>1wk

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2010-04-12

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2023-05-15

LTD Date2023-11-15

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFH5406TRPBF에 대한 설명입니다.

Single N-Channel 60 V 14.4 mOhm 32 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm

Future Electronics

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PQFN EP T/R / MOSFET N-CH 60V 40A 8-PQFN

Win Source

MOSFET, 60V, 40A, 14.4 mOhm, 23 nC Qg, PQFN 5x6

RS (Formerly Allied Electronics)

MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: PQFN-8 (3x3) Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 46 W

Distrelec

MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):11.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:3.6W

element14 APAC

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

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