Infineon IRFH5220TR2PBF

Name: Infineon IRFH5220TR2PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFH5220TR2PBF

MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN / N-Channel 200 V 3.8A (Ta), 20A (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)

$ 2.049

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFH5220TR2PBF	0	25	Bulk			2.362	2.049	1.688	7h
Win Source	WS-IRFH5220TR2PBF	20	17				2.688	2.330	2.330	19h
Worldway Electronics	IRFH5220TR2PBF	16,019	7	Tape & Reel		2.172	2.131	2.049	2.008	18h
ICPartonline	IRFH5220TR2PBF	17,198			15.000	14.250	13.500	12.750	12.000	>1wk
Best Source	IRFH5220TR2PBF	11,427			2.224	2.224	2.224	2.224	2.224	4h

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IHS

Datasheet10 페이지11년 전

Datasheet9 페이지11년 전

RS (Formerly Allied Electronics)

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-12-21

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2014-05-12

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFH5220TR2PBF에 대한 설명입니다.

MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN / N-Channel 200 V 3.8A (Ta), 20A (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)

Win Source

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5x6mm package

International Rectifier

Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 8-Pin PQFN EP T/R

Verical

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 0.0999ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET,W DIO,N CH,200V,3.8A,PQFN56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.8A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.08ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:3.6W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Voltage Vgs Max:20V

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