Infineon IRFH5007TR2PBF

Name: Infineon IRFH5007TR2PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFH5007TR2PBF

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package

$ 1.422

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	IRFH5007TR2PBF	50					1.270	1.050	0.940	3h
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFH5007TR2PBF	0	400	Bulk				1.793	1.281	20h
Avnet	IRFH5007TR2PBF	0	400							5h
Farnell	IRFH5007TR2PBF	0	1		1.650*	1.650*	1.166*	0.919*	0.919*	2h
Microchip USA	IRFH5007TR2PBF	231	150	Tray				19.175	19.175	21h

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IHS

Datasheet8 페이지15년 전

element14 APAC

Farnell

RS (Formerly Allied Electronics)

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+0.00%

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-03-12

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2014-05-12

LTD Date2014-11-12

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFH5007TR2PBF에 대한 설명입니다.

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package

International Rectifier

Trans MOSFET N-CH 75V 17A 8-Pin QFN T/R

Verical

MOSFET, 70V, 100A, 5.9mOhm, 65 nC Qg, PQFN5x6

RS (Formerly Allied Electronics)

MOSFET PQFN-8 (5x6) N 75V 17 A

Distrelec

MOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFN

Vigor Components

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 75V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET,N CH,75V,17A,PQFN56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):5.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:250W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:QFN; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:100A; Power Dissipation Pd:250W; Voltage Vgs Max:20V

element14 APAC