Infineon IRFB4310PBF

Name: Infineon IRFB4310PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFB4310PBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 5.6 Milliohms; ID 130A; TO-220AB; PD 300W

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	2	IRFB4310PBF	1,650	50	Tube			1.250	1.220	1.180
Rutronik		TMOSP12125	18,900	50				1.390	1.119	1.119	17h
Rochester Electronics	2	IRFB4310PBF	1,975					1.560	1.290	1.150	9h
Arrow Electronics	2	IRFB4310PBF	2,600	1		1.760	1.760	1.408	1.297	1.234
DigiKey		IRFB4310PBF-ND	29,844	1	Tube	4.430	4.430	2.019	1.526	1.316

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2005-06-29

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

LTB Date2014-01-09

LTD Date2014-07-09

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFB4310PBF에 대한 설명입니다.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 5.6 Milliohms;ID 130A;TO-220AB;PD 300W

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 100 V 7 mOhm 250 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 130 A, 0.007 ohm, TO-220AB, Through Hole

EBV Elektronik

Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

N Channel Mosfet, 100V, 130A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:130A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFB4310PBF.

Newark

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon