Infineon IRF9952QPBF

Name: Infineon IRF9952QPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF9952QPBF

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package

$ 0.239

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	IRF9952QPBF	190					0.288	0.239	0.213	12h
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF9952QPBF	0	1045	Bulk					0.410	5h
Farnell	IRF9952QPBF	0	1		1.503*	1.503*	0.745*	0.636*	0.636*	11h
Worldway Electronics	IRF9952QPBF	19,793	7			0.080	0.078	0.073	0.073	13h
QUARKTWIN TECHNOLOGY LTD	IRF9952QPBF	문의하기			0.207	0.186	0.167	0.135	0.122	>1wk

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IHS

Datasheet11 페이지11년 전

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

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3개월간의 트렌드:

+0.00%

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2007-07-23

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2014-11-05

LTD Date2015-05-05

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRF9952QPBF에 대한 설명입니다.

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package

International Rectifier

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

IHS

MOSFET, NP SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:3.5A; On State Resistance:0.08ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Id Cont N Channel 2:3.5A; Current, Id Cont P Channel:2.3A; Current, Idm Pulse N Channel 2:16A; Current, Idm Pulse P Channel:10A; Max On State Resistance N Channel:0.10ohm; Max On State Resistance P Channel:0.25ohm; Power Dissipation Pd:2.0W; Voltage, Vds:30V; Voltage, Vds Max:30V

Farnell