Infineon IRF9540NSTRLPBF

Name: Infineon IRF9540NSTRLPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF9540NSTRLPBF

Single P-Channel 100 V 117 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

$ 0.697

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	3	IRF9540NSTRLPBFCT-ND	19,464	1	Cut Tape	2.490	1.597	1.087	1.087	1.087
Avnet	2	IRF9540NSTRLPBF	134,400	800					0.511	0.503	8h
Newark	3	IRF9540NSTRLPBF	4,148	1	Cut Tape	0.624	0.624	0.624	0.624	0.624
Future Electronics	2	IRF9540NSTRLPBF	7,200	800	Tape & Reel				0.700	0.680
Arrow Electronics	2	IRF9540NSTRLPBF	377	1		1.955	1.388	0.998	0.998	0.998

재고 내역

3개월 추세: +23.17%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon IRF9540NSTRLPBF에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

Newark

Datasheet11 페이지20년 전

Datasheet11 페이지23년 전

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

재고 내역

3개월간의 트렌드:

+23.17%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon IRF9540NSTRLPBF 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드
EE Concierge	심벌풋프린트
Ultra Librarian	심벌풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1996-08-05

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRF9540NSTRLPBF에 대한 설명입니다.

Single P-Channel 100 V 117 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.117Ohm;ID -23A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V

RS (Formerly Allied Electronics)

Power MOSFET, P Channel, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

EBV Elektronik

Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK

Win Source

-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

MOSFET, P-CHANNEL, -100V, -23A, 117 MOHM, 64.7 NC QG, D2-PAK

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Semicontronic

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET

Infineon

Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:23A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:20V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:140W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF9540NSTRLPBF.

Newark

MOSFET, P, 100V, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:23A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):117mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:140W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:TO-262AB; Current Id Max:-23A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:140W; Power Dissipation Pd:140W; Pulse Current Idm:76A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V

element14 APAC

Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 23 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 117 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 45 / Rise Time ns = 64 / Turn-OFF Delay Time ns = 40 / Turn-ON Delay Time ns = 13 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-263 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 110

Distrelec