Infineon IRF9389TRPBF

Name: Infineon IRF9389TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF9389TRPBF

MOSFET, 30V, N+P, 27 m and -64 m , 6.8A and -4.6A, SO-8, TAPE & REEL

$ 0.278

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	91Y4762	2	1		0.836	0.546	0.376	0.303	0.303	4d
Newark		IRF9389TRPBF	2	1	Cut Tape	0.836	0.546	0.375	0.278	0.278
Arrow Electronics		IRF9389TRPBF	16,105	1		0.648	0.438	0.304	0.215	0.159
Farnell	3	IRF9389TRPBF	1,942	5	Cut Tape		0.898*	0.557*	0.247*	0.224*	6h
Verical		IRF9389TRPBF	16,105	8			0.438	0.304	0.215	0.159

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2013-01-18

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)

LTB Date2025-12-31

LTD Date2026-12-31

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRF9389TRPBF에 대한 설명입니다.

MOSFET, 30V, N+P, 27 m and -64 m , 6.8A and -4.6A, SO-8, TAPE & REEL

Newark

2W 20V 2.3V@ 10¦ÌA 14nC@ 10V 2N+2P 30V 27m¦¸@ 6.8A,10V 6.8A,4.6A 398pF@15V SOIC-8 1.75mm

UnikeyIC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R

Verical

Dual N/P-Channel 30 V 27/64 mOhm 6.8/8.1 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 30V, 0.027ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

IHS

MOSFET, DUAL N & P-CH, 30V, 6.8A, SOIC-8; Transistor Polarity: Dual N and P Channel; Continuous Drain Current Id: 6.8A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistanc; Available until stocks are exhausted Alternative available

Farnell

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

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