Infineon IRF8788PBF

Name: Infineon IRF8788PBF
Brand: Infineon
SKU: IRF8788PBF

IRF8788PBF N-channel MOSFET Transistor, 24 A, 30 V, 8-Pin SOIC

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF8788PBF	0	3800	Bulk					1.980	18h
Farnell	IRF8788PBF	0	5			0.795*	0.763*	0.717*	0.715*	12h
Win Source	WS-IRF8788PBF	91,660	120					0.336	0.336	2h
Worldway Electronics	IRF8788PBF	12,091	7	Tube		0.110	0.107	0.101	0.101	1h
ICPartonline	IRF8788PBF	38,861			0.661	0.628	0.595	0.562	0.529	>1wk

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IHS

Datasheet10 페이지17년 전

Datasheet9 페이지17년 전

iiiC

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-06-03

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2016-11-16

LTD Date2017-05-16

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRF8788PBF에 대한 설명입니다.

IRF8788PBF N-channel MOSFET Transistor,24 A, 30 V, 8-Pin SOIC

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC Tube

Verical

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS

Infineon SCT

Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: Battery Protection; Load Switch High Side; Load Switch Low Side

Infineon

Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

N-CH 30V 24A 2,8mOhm SO8 RoHSconf

Rutronik

MOSFET, N-CH, 30V, SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):2.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:24mA; Package / Case:SOIC-8; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:190A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.35V; Voltage Vgs th Min:1.35V

element14 APAC

; Continuous Drain Current, Id:24A; On Resistance, Rds(on):2.3mohm; Current, Idm pulse:190A ;RoHS Compliant: Yes

Newark