Infineon IRF7807VTRPBF

Name: Infineon IRF7807VTRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF7807VTRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 17 Milliohms; Id 8.3A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-20V

$ 0.315

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		IRF7807VTRPBF	3,212					0.380	0.315	0.281	19h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF7807VTRPBF	0	4K	Bulk					1.235	12h
Farnell	2	IRF7807VTRPBF	0	1	Cut Tape	0.530*	0.417*	0.374*	0.288*	0.288*	19h
Verical		IRF7807VTRPBF	3,212	878					0.394	0.352
Win Source		WS-160053	6,070	120					0.363	0.326	20h

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Newark

Datasheet8 페이지21년 전

IHS

_legacy Avnet

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-11-03

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRF7807VTRPBF에 대한 설명입니다.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 17 Milliohms;ID 8.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 30 V 25 mOhm 9.5 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

IHS

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:8.3A; On Resistance, Rds(on):25mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes

Newark