Infineon IRF7416TRPBF

Name: Infineon IRF7416TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF7416TRPBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -30V; Rds(on) 0.02 Ohm; Id -10A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-20V; -55

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	IRF7416TRPBF	12,000	4K						0.312	3d
Newark	2	IRF7416TRPBF	520	1	Cut Tape	1.400	0.945	0.675	0.482	0.482
Future Electronics	2	IRF7416TRPBF	16,000	4K	Tape & Reel					0.375
Arrow Electronics	3	IRF7416TRPBF	73,532	1		1.152	0.796	0.616	0.453	0.378
DigiKey	3	IRF7416TRPBFCT-ND	2,497	1	Cut Tape	1.610	1.020	0.679	0.486	0.384

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공급망

Country of OriginMainland China, Malaysia, Philippines, Taiwan, Thailand, Usa

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2011-06-27

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRF7416TRPBF에 대한 설명입니다.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.02Ohm;ID -10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55

RS (Formerly Allied Electronics)

Single P-Channel 30 V 0.035 Ohm 92 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

Power MOSFET, P Channel, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Surface Mount

Avnet

2.5W(Ta) 20V 1V@ 250¦ÌA 92nC@ 10 V 1P 30V 20m¦¸@ 5.6A,10V 10A 1.7nF@25V SOIC-8 1.75mm

UnikeyIC

30V 10A 20m¦¸@10V,5.6A 2.5W 2.04V@250¦ÌA P Channel SOIC-8_150mil MOSFETs ROHS

Dasenic

-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS

Infineon SCT

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current, Id:-10A; On Resistance, Rds(on):0.02ohm; Package/Case:8-SOIC; Power Dissipation, Pd:2.5W; Current, Idm pulse:45A ;RoHS Compliant: Yes

Newark

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

ComSIT Distribution GmbH

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.

Infineon

MOSFET, P, 30V, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:10A; Resistance, Rds On:0.02ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:45A; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; No. of Pins:8; Pin Configuration:b; Pin Format:1 S; 2 S; 3 S; 4 G; 5 D; 6 D; 7 D; 8 D; Power Dissipation:2.5W; Power, Pd:2.5W; Row Pitch:6.3mm; SMD Marking:F7416; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Rds Measurement:10V; Voltage, Vds:30V; Voltage, Vds Max:30V; Width, External:4.05mm

Farnell