Infineon IRF200B211

Name: Infineon IRF200B211
Brand: Infineon
SKU: IRF200B211

Single N-Channel 200 V 170 mOhm 15.3 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

$ 0.625

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IRF200B211	2,959	1		0.376	0.376	0.376	0.376	0.376
Rochester Electronics	2	IRF200B211	10,354					0.753	0.625	0.557	18h
DigiKey		IRF200B211-ND	113	1	Tube	2.230	2.230	0.965	0.965	0.965
Farnell		IRF200B211	3,843	1		2.047*	1.464*	0.888*	0.801*	0.801*	4h
Microchip USA		IRF200B211	389	600	Tube				1.617	1.617	11h

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TME

Datasheet11 페이지11년 전

IHS

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2015-04-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2025-03-31

LTD Date2025-09-30

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRF200B211에 대한 설명입니다.

Single N-Channel 200 V 170 mOhm 15.3 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

MOSFET, N-CH, 200V, 12A, TO-220AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 12A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.135ohm; Available until stocks are exhausted Alternative available

Farnell

The IR MOSFET™ family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications. The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design. The optimized gate drive options enables designers the flexibility of selecting super, logic or normal level drives.

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