Infineon IRF100P219AKMA1

Name: Infineon IRF100P219AKMA1
Brand: Infineon
SKU: IRF100P219AKMA1

N Channel 100 V 203 A 1.7 mOhm Through Hole Transistor Power Mosfet - PG-TO247-3

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	22AJ2197	121	1		5.420	3.300	2.730	2.560	2.560	3d
Newark		IRF100P219AKMA1	226	1		5.680	3.300	2.730	2.560	2.560
Arrow Electronics	3	IRF100P219AKMA1	445	1		4.197	4.197	4.197	4.197	4.197
Rutronik		TMOS6387	1,175	25				2.530	2.140	2.140	42m
DigiKey		448-IRF100P219AKMA1-ND	1,509	1	Tube	6.080	6.080	2.918	2.273	2.175

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공급망

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRF100P219AKMA1에 대한 설명입니다.

N Channel 100 V 203 A 1.7 mOhm Through Hole Transistor Power Mosfet - PG-TO247-3

Future Electronics

Transistor Power MOSFET N-Channel 100V 316A 3-Pin TO-247 Tube

Avnet Japan

Power Field-Effect Transistor, 203A I(D), 100V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

IHS

Mosfet, N-Ch, 100V, 203A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:203A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3.8V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF100P219AKMA1

Newark