Infineon IPP60R199CPXKSA1

Name: Infineon IPP60R199CPXKSA1
Brand: Infineon
SKU: IPP60R199CPXKSA1

139W 20V 2.5V 32NC@ 10V 1N 650V 199M¦¸@ 10V 16A 1.52NF@ 100V TO-220-3 10MM*4.4MM*15.65MM

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Newark	IPP60R199CPXKSA1	1,504	1		4.390	2.880	2.160	1.910	1.910
DigiKey	448-IPP60R199CPXKSA1-ND	513	1	Tube	4.470	4.470	2.075	1.585	1.438
Rochester Electronics	IPP60R199CPXKSA1	702								8h
Avnet	IPP60R199CPXKSA1	0	500					1.555	1.438	1d
Future Electronics	IPP60R199CPXKSA1	0	500	Tube				2.930	2.880

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Datasheet10 페이지18년 전

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공급망

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2005-08-31

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IPP60R199CPXKSA1에 대한 설명입니다.

139W 20V 2.5V 32nC@ 10V 1N 650V 199m¦¸@ 10V 16A 1.52nF@ 100V TO-220-3 10mm*4.4mm*15.65mm

Unikeyic (ICkey)

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, TO-220, Through Hole

EBV Elektronik

Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Verical

16 A 600 V 0.199 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB

Component Stockers USA

Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

CoolMOS™ CP, Infineon's fifth series of CoolMOS™, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV.

Infineon

MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):199mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:139W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:16A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:139W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC