Infineon IPP60R180P7XKSA1

Name: Infineon IPP60R180P7XKSA1
Brand: Infineon
SKU: IPP60R180P7XKSA1

Power MOSFET, N Channel, 600 V, 18 A, 180 Milliohms, TO-220, 3 Pins, Through Hole

$ 1.01

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPP60R180P7XKSA1	274	1		3.110	1.740	1.610	1.390	1.390
Arrow Electronics	3	IPP60R180P7XKSA1	450	1		1.083	1.083	1.083	1.083	1.083
Future Electronics	2	IPP60R180P7XKSA1	89,500	500	Tube				1.710	1.680
Rochester Electronics		IPP60R180P7XKSA1	47,289					1.190	0.988	0.881	18h
DigiKey		IPP60R180P7XKSA1-ND	9,520	1	Tube	3.120	3.120	1.392	1.038	0.879

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IHS

Datasheet14 페이지0년 전

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공급망

Country of OriginGermany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2017-02-17

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IPP60R180P7XKSA1에 대한 설명입니다.

Power MOSFET, N Channel, 600 V, 18 A, 180 Milliohms, TO-220, 3 Pins, Through Hole

EBV Elektronik

Optimized power MOSFETs merging high energy efficiency with ease-of-use, PG-TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220

Verical

72W 20V 4V 25nC@ 10V 2N 600V 180m¦¸@ 10V 11A 1.081nF@ 400V SOP-8,TO-220,TO-220-3

UnikeyIC

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

Mosfet, N-Ch, 600V, 18A, To-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.145Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPP60R180P7XKSA1

Newark

The 600V CoolMOS™ P7 is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

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