Infineon IPP50R190CEXKSA1

Name: Infineon IPP50R190CEXKSA1
Brand: Infineon
SKU: IPP50R190CEXKSA1

Transistor MOSFET N-Channel 500V 24.8A Automotive 3-Pin TO-220 Tube

$ 0.862

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPP50R190CEXKSA1	85	1		2.140	1.550	1.230	0.886	0.814
Arrow Electronics	2	IPP50R190CEXKSA1	11,866	1		2.508	1.263	1.144	0.885	0.761
Future Electronics	2	IPP50R190CEXKSA1	9,500	500	Tube				0.735	0.690
Rutronik		TMOSP11244	2,650	50				0.895	0.716	0.716	21h
Rochester Electronics		IPP50R190CEXKSA1	18,659					1.030	0.855	0.762	13h

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Datasheet16 페이지13년 전

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Newark

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공급망

Country of OriginGermany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2012-09-17

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IPP50R190CEXKSA1에 대한 설명입니다.

Transistor MOSFET N-Channel 500V 24.8A Automotive 3-Pin TO-220 Tube

Avnet

MOSFET, N-CH, 500V, 18.5A, TO-220-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 18.5A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.17ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 13V; Threshold Voltage Vgs: 3V;

Farnell

500V CoolMOS™ CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in consumer and lighting markets by still meeting highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching superjunction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.

Infineon

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 18.5 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 500 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 190 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 7.5 / Rise Time ns = 8.5 / Turn-OFF Delay Time ns = 54 / Turn-ON Delay Time ns = 9.5 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-220 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 127

Distrelec