Infineon IPP147N12N3GXKSA1

Name: Infineon IPP147N12N3GXKSA1
Brand: Infineon
SKU: IPP147N12N3GXKSA1

Power MOSFET, N Channel, 120 V, 41 A, 0.0126 ohm, TO-220, Through Hole

$ 0.614

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPP147N12N3GXKSA1	233	1		1.820	0.882	0.789	0.614	0.614
Arrow Electronics	2	IPP147N12N3GXKSA1	4,300	1		2.144	2.144	0.928	0.677	0.673
Rochester Electronics		IPP147N12N3GXKSA1	300					0.754	0.626	0.558	20h
DigiKey		IPP147N12N3GXKSA1-ND	9,098	1	Tube	2.230	2.230	0.964	0.704	0.557
Avnet		IPP147N12N3GXKSA1	0	1K					0.533	0.519	4d

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IHS

Datasheet11 페이지15년 전

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공급망

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-07-09

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IPP147N12N3GXKSA1에 대한 설명입니다.

Power MOSFET, N Channel, 120 V, 41 A, 0.0126 ohm, TO-220, Through Hole

EBV Elektronik

107W(Tc) 20V 4V@ 61¦ÌA 49nC@ 10 V 1N 120V 14.7m¦¸@ 56A,10V 56A 3.22nF@60V TO-220 11.17mm

UnikeyIC

Trans MOSFET N-CH 120V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220

Verical

56 A 120 V 0.0147 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB

Component Stockers USA

Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 120V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

MOSFET, N-CH, 120V, 41A, TO-220-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 41A; Drain Source Voltage Vds: 120V; On Resistance Rds(on): 0.0126ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; P

Farnell

The 120 V OptiMOS™ family offers at the same time the lowest on-state resistances of the industry and the fastest switching behavior, allowing for the achievement of outstanding performance in a wide range of applications.The 120 V OptiMOS™ technology gives new possibilites for optimized solutions.

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