Infineon IPL65R099C7AUMA1

Name: Infineon IPL65R099C7AUMA1
Brand: Infineon
SKU: IPL65R099C7AUMA1

Trans Mosfet N-ch 650V 21A 4-PIN Vson Ep T/r

$ 2.523

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		IPL65R099C7AUMA1	2,370					2.380	2.130	2.010	18h
DigiKey	3	448-IPL65R099C7AUMA1CT-ND	8,206	1	Cut Tape	6.510	4.365	3.148	2.916	2.916
Avnet		IPL65R099C7AUMA1	0	3K						2.576	20h
Future Electronics	2	IPL65R099C7AUMA1	0	3K	Tape & Reel					4.770
Arrow Electronics		IPL65R099C7AUMA1	0	3K						2.840

재고 내역

3개월 추세: -0.83%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon IPL65R099C7AUMA1에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet14 페이지0년 전

TME

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-0.83%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon IPL65R099C7AUMA1 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Country of OriginGermany, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2013-11-05

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

관련 부품

InfineonIPB65R125C7ATMA1

MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK / N-Channel 650 V 18A (Ta) 101W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

세부 사항

VishaySIHB24N65E-GE3

E-Series N-Channel 650 V 0.145 O 122 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK

세부 사항

STMicroelectronicsSTL45N65M5

N-channel 650 V, 0.075 Ohm typ., 22.5 A MDmesh M5 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

세부 사항

STMicroelectronicsSTL34N65M5

N-channel 650 V, 0.99 Ohm typ., 22.5 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV

세부 사항

STMicroelectronicsSTB35N65M5

N-channel 650 V, 0.085 Ohm, 27 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package

세부 사항

InfineonIPL65R130C7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 4-Pin VSON EP

세부 사항

InfineonIPB65R095C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

세부 사항

STMicroelectronicsSTF40N65M2

N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

세부 사항

STMicroelectronicsSTI40N65M2

N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package

세부 사항

InfineonIPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

세부 사항

InfineonIPW65R095C7XKSA1

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-247, Through Hole

세부 사항

STMicroelectronicsSTB38N65M5

N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package

세부 사항

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IPL65R099C7AUMA1에 대한 설명입니다.

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 4-Pin VSON EP T/R

Verical

128W 20V 4V 45nC@ 10V 1N 650V 99m¦¸@ 10V 21A 2.14nF@ 400V SON , 8mm*8mm*1.1mm

UnikeyIC

Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

Increased MOSFET dv/dt ruggedness

Win Source

N-CH 650V 21A 88mOhm ThinPAK8x8

Rutronik

Mosfet, N-Ch, 650V, 21A, 128W, Vson; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.088Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon IPL65R099C7AUMA1

Newark

Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.

Infineon