Infineon IPL60R105P7AUMA1

Name: Infineon IPL60R105P7AUMA1
Brand: Infineon
SKU: IPL60R105P7AUMA1

Trans Mosfet N-ch 600V 33A 4-PIN Vson Ep T/r

$ 1.97

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		IPL60R105P7AUMA1	3,000	3K						1.770	3d
Newark		IPL60R105P7AUMA1	613	1	Cut Tape	5.050	3.660	2.960	2.690	2.690
Arrow Electronics	2	IPL60R105P7AUMA1	1,568	1		2.190	2.190	2.190	2.190	2.190
Rochester Electronics		IPL60R105P7AUMA1	9					1.670	1.500	1.410	8h
DigiKey	2	IPL60R105P7AUMA1CT-ND	3,017	1	Cut Tape	5.000	3.307	2.347	2.045	2.045

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EE Concierge	심벌풋프린트

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공급망

Country of OriginGermany, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2017-09-19

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IPL60R105P7AUMA1에 대한 설명입니다.

Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

Infineon NMOSFET + CoolMOS P7, Vds=650 V, 100 A, ThinkPAK 8 x 8, , 5

UnikeyIC

Optimized superjunction MOSFETs merging high energy efficiency with ease-of-use, PG-VSON-4, RoHS

Infineon SCT

Infineon MOSFET IPL60R105P7AUMA1

RS APAC

600V, 0.105OHM, N-CHANEL POWER M

DigiKey Marketplace

Mosfet, N-Ch, 600V, 33A, Vson; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.085Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPL60R105P7AUMA1

Newark

The 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

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