Infineon IPD60R400CEAUMA1

Name: Infineon IPD60R400CEAUMA1
Brand: Infineon
SKU: IPD60R400CEAUMA1

Power MOSFET, N Channel, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

$ 0.489

NRND

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPD60R400CEAUMA1	4,773	1	Cut Tape	1.790	1.200	0.849	0.655	0.655
Arrow Electronics		IPD60R400CEAUMA1	4,920	1		0.420	0.420	0.420	0.420	0.420
Rutronik		TMOS1147	2,500	2500						0.392	22h
Rochester Electronics		IPD60R400CEAUMA1	1,690					0.501	0.416	0.371	14h
DigiKey	3	IPD60R400CEAUMA1CT-ND	17,131	1	Cut Tape	1.660	1.049	0.699	0.500	0.500

재고 내역

3개월 추세: +17.35%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon IPD60R400CEAUMA1에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

공식 데이터시트1년 전

재고 내역

3개월간의 트렌드:

+17.35%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon IPD60R400CEAUMA1 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드
EE Concierge	심벌풋프린트

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2014-09-25

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IPD60R400CEAUMA1에 대한 설명입니다.

Power MOSFET, N Channel, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

EBV Elektronik

Trans MOSFET N-CH 600V 10.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R, PG-TO252-3, RoHS

Infineon SCT

112W 20V 3.5V 32nC@ 10V 2N 650V 400m¦¸@ 10V,3.8A 14.7A 700pF@100V TDSON-8,TO-252

UnikeyIC

IPD60R400CE Series 600 V 14.7 A 0.4 Ohm Single N-Channel MOSFET - TO-252-3

Future Electronics

600V 14.7A 400m惟@10V,3.8A 112W 3.5V@300uA 1 N-Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS

Fmall Co., Limited

Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

IHS

Infineon MOSFET IPD60R400CEAUMA1

RS APAC

Very high commutation ruggedness

Win Source

IPD60R400 - 600V COOLMOS N-CHANN

DigiKey Marketplace

MOSFET, N-CH, 600V, 14.7A, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 14.7A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.34ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 112W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: CoolMOS CE Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 3 - 168 hours; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Farnell

Summary of Features: Narrow margins between typical and max R DS(on); Reduced energy stored in output capacitance (E oss); Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr); Optimized integrated R g | Benefits: Low conduction losses; Low switching losses; Suitable for hard and soft switching; Easy controllable switching behavior; Improved efficiencyand consequent reduction of power consumption; Less design in effort; Easy to use | Target Applications: Laptop and notebook adapter; Low power charger; Lighting; LCD and LED TV

Infineon