Infineon IPD122N10N3GATMA1

Name: Infineon IPD122N10N3GATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPD122N10N3GATMA1

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 59 A, 0.0105 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

$ 0.66

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	IPD122N10N3GATMA1	250	1	Cut Tape	2.080	1.100	0.917	0.917	0.917
Arrow Electronics	3	IPD122N10N3GATMA1	1,976	1		0.458	0.458	0.458	0.458	0.458
Future Electronics	2	IPD122N10N3GATMA1	25,000	2500	Tape & Reel					0.590
Rochester Electronics	2	IPD122N10N3GATMA1	1,638					0.767	0.636	0.567	21h
DigiKey	3	IPD122N10N3GATMA1CT-ND	27,670	1	Cut Tape	2.260	1.442	0.977	0.714	0.714

재고 내역

3개월 추세: +7.33%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon IPD122N10N3GATMA1에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet9 페이지11년 전

_legacy Avnet

Farnell

재고 내역

3개월간의 트렌드:

+7.33%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon IPD122N10N3GATMA1 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	심벌풋프린트	3D	다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Country of OriginGermany, Malaysia, South Korea

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-07-09

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

LTB Date2016-04-30

LTD Date2016-10-31

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IPD122N10N3GATMA1에 대한 설명입니다.

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 59 A, 0.0105 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

EBV Elektronik

Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.0122ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

Semicontronic

Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).

Infineon