Infineon IPB60R070CFD7ATMA1

Name: Infineon IPB60R070CFD7ATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPB60R070CFD7ATMA1

Power Transistor MOSFET N-Channel Enhancement 600V 31A 3-Pin D2PAK T/R

$ 2.89

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPB60R070CFD7ATMA1	1,425	1	Cut Tape	6.030	4.310	3.110	2.890	2.890
Arrow Electronics		IPB60R070CFD7ATMA1	960	1		3.105	3.105	3.105	3.105	3.105
Rochester Electronics		IPB60R070CFD7ATMA1	32,000					2.590	2.320	2.180	3h
DigiKey	3	448-IPB60R070CFD7ATMA1CT-ND	1,712	1	Cut Tape	6.860	4.615	3.341	3.168	3.168
Future Electronics	2	IPB60R070CFD7ATMA1	0	1K	Tape & Reel				3.000	2.960

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Upverter

Datasheet15 페이지6년 전

IHS

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공급망

Country of OriginAustria, Germany, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2019-05-17

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IPB60R070CFD7ATMA1에 대한 설명입니다.

Power Transistor MOSFET N-Channel Enhancement 600V 31A 3-Pin D2PAK T/R

Avnet

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

Buffer/Driver 6-CH Inverting Open Collector Bipolar 14-Pin PDIP Tube

Utmel Electronic

Mosfet, N-Ch, 600V, 31A, 150Deg C, 156W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB60R070CFD7ATMA1

Newark

Infineon NMOS, Vds=600 V, 31 A, D2PAK £¨TO-263£©, , 3

UnikeyIC

Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

4.7 mm 156 W 1 26 ns 99 ns 150 °C -55 °C 57 mΩ

Augswan

MOSFET N-CH 650V 31A TO263-3-2

Vigor Components

Infineon’s 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction MOSFET IPB60R070CFD7 in D2PAK package is ideally suited for resonant topologies in high power SMPS, such as server, telecom and EV charging stations, where it enables significant efficiency improvements. As successor to the CFD2 SJ MOSFET family it comes with reduced gate charge, improved turn-off behavior and up to 69% reduced reverse recovery charge compared to competitors.

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